高通量1 ns脉冲IV记忆测试解决方案公布。


Keysight技术已经宣布了一种解决自旋转矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)的磁隧道结(MTJ)的解决方案，以克服常规机架和栈基测试环境的挑战。


Keysight的新NX5730A高通量1 ns脉冲IV内存测试解决方案是研究人员和工程师在硅晶片上对MTJ设备的特性进行研究的一个专用解决方案。


STT-MRAM作为首选的下一代高性能非易失性存储器(如用于移动和存储设备的内存)得到了广泛的关注。MTJ是STT-MRAM最重要的组成部分，快速准确地描述MTJ是实现公司上市时间目标的关键成功因素。


NX5730A使用户能够应用精确和高速脉冲电压(下至1ns脉冲宽度)来切换MTJ，并精确快速地测量转换前后MTJ的电阻。除了电阻测量之外，NX5730A还允许工程师在写入脉冲时清晰地捕捉和可视化MTJ开关波形，即使脉冲宽度很窄(下降到1ns脉冲)。NX5730A允许用户准确和快速地在一个解决方案中执行所有典型的MTJ特性测试。这包括BERTs，耐力测试，不同电压的开关特性和书写脉冲宽度，通过观察开关波形和直流测试(例如电阻电压特性)来切换时间评估。Keysight还提供了自定义支持，以控制电磁铁设备的特性，使其具有磁场特性。


Keysight公司的晶圆测试解决方案总经理Masaki Yamamoto说:“Keysight的新NX5730A来自于与东北大学创新集成电子系统中心的合作，该中心在2015年3月宣布了成功的结果。”“我们的客户在MTJ的特性中遇到了一些挑战，比如传统的机架和堆叠的测试环境，比如一个耗时的BERT，不准确的写入电压和高速脉冲IV的困难，比如1个ns脉冲宽度。NX5730A直接响应了客户对MTJ特性的需求，NX5730A已经在多个内存研究设施中使用，包括企业的应用。此外，Keysight公司还不断开发其先进的技术和合作。

NX5730A通过1)系统级的调整和专用的系统设计，以及2)Keysight在射频测量和系统集成方面的专业知识，使其能够准确地进行描述。NX5730A通过更快的测量和优化的系统控制，执行了大约10到100倍的速度。NX5730A软件允许客户仅用几个步骤执行所有典型的MTJ测试。NX5730A被设计成与半自动的prober结合在一起，使其成为对早期生产的STT-MRAM研究的理想选择。

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