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第六代CoolSiC肖特基二极管发射

2018-03-12 10:29:42      点击:
第六代CoolSiC肖特基二极管发射。


英飞凌科技引进了CoolSiC肖特基二极管650 V G6。这一最新的开发是基于G5的独特特性,提供了可靠性、质量和提高效率。


CoolSiC G6二极管是对600v和650 V CoolMOS 7家庭的完美补充。他们的目标是当前和未来的应用在服务器和个人电脑电源,电信设备电源,和PV逆变器。


CoolSiC肖特基二极管650 V G6有一个新的布局,新的细胞结构,和一个新的专有的肖特基金属系统。其结果是一个行业基准vf (1.25 V),以及一个qcxvf值(FOM),比上一代低17%。此外,新的G6二极管利用了温度独立切换行为的SiC强特性,没有反向恢复充电。


该装置的设计提高了系统功率密度,提高了所有负载条件下的效率。因此,CoolSiC肖特基二极管650 V G6特性降低了冷却的要求,提高了系统的可靠性和极快的切换。新设备是具有最佳性价比的SiC二极管。

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